近日，我院硕士生史御书等撰写的论文“Tunable Oxygen Vacancies of Cobalt oxides for Efficient Gas Sensing Application”在一区期刊Sensors and Actuators B: Chemical发表。

将p型金属氧化物半导体用于气体传感是具有挑战性的，尤其是灵敏度方面与n型金属氧化物半导体相比始终处于劣势。为了扩展p型金属氧化物半导体的应用领域，研究组提出了一种有效和快速的方法，通过具有丰富氧空位的p型Co3O4纳米片来检测三乙胺（TEA）。

该工作通过一种简单而有效的水热法合成中间体，再进行退火处理得到多孔Co3O4纳米片。研究发现，该材料表面的氧空位浓度可以通过控制退火温度进行有效调控，新颖的介孔结构和独特的表面电子结构的协同效应最终导致传感器性能显著提升。该工作为合理设计具有独特形貌和氧空位的p型半导体金属氧化物气敏材料提供了一条有效途径。

智能材料与工程研究院硕士生史御书为该论文第一作者，研究院教师刘桐垚博士和蒋绪川教授为共同通讯作者。

论文信息：

Yushu Shi, Tongyao Liu*, Yiming Zhao, Jianhui Su, Shah Zeb, Yong Nie, Chengyuan Qin, Binbin Wang, Xuchuan Jiang* Tunable Oxygen Vacancies of Cobalt Oxides for Efficient Gas Sensing Application. Sens Actuators, B, 350(2022) 130860. https://doi.org/10.1016/j.snb.2021.130860